wydrukuj poleć znajomym zamów materiały
Od ilu lat pracuje Pani/Pan na różnych stanowiskach menedżerskich:

powyżej 20 lat
powyżej 15 lat
powyżej 10 lat
powyżej 5 lat
poniżej 5 lat
jeszcze nie byłam/-em menedżerem
nie chcę być menedżerem


Subskrypcja najnowszych ofert pracy





Nasi partnerzy:

rp.pl
gazeta.pl
onet.pl
interia.pl
wp.pl

Spintronika: Powstał nowy typ tranzystora, owoc polskiej technologii 2012.07.22

Warszawa - 19 lipca 2012 - Tranzystor spinowy działający według nowych zasad został skonstruowany przez zespół fizyków z Instytutu Fizyki Polskiej Akademii Nauk w Warszawie i Uniwersytetu w Ratyzbonie. Doświadczalna demonstracja tranzystora jest kolejnym krokiem ku upowszechnieniu spintroniki, dziedziny nauki i techniki, która w przyszłości w istotnej części zastąpi elektronikę. Osiągnięcie przedstawiono w artykule w najnowszym wydaniu "Science", 20 July 2012: 324-327 - jednego z najbardziej prestiżowych czasopism naukowych świata.

Udział Instytutu Fizyki PAN w 7. Targach Techniki Przemysłowej, Nauki i Innowacji "Technicon Innowacje".
Do oficjalnego konkursu Instytut Fizyki PAN zgłosił dwa opracowania wykonane w ramach programu NanoBiom. Zaprezentowane prace zostały bardzo wysoko ocenione przez organizatorów i uczestników targów.
Komisja Konkursowa wyróżniła oba te rozwiązania prestiżowymi nagrodami. Prace wykonawców z grup profesorów Danka Elbauma i Marka Godlewskiego z Instytutu Fizyki PAN zrealizowane w ramach Projektów POIG 1.1.2 nagrodzone zostały dwoma medalami Złotym i Srebrnym w konkursie INNOWACJE 2011.
Źródło: IF PAN
 

Warszawa - 19 lipca 2012

Tranzystor spinowy działający według nowych zasad został skonstruowany przez zespół fizyków z Instytutu Fizyki Polskiej Akademii Nauk w Warszawie i Uniwersytetu w Ratyzbonie (niem. Regensburg).

Doświadczalna demonstracja tranzystora jest kolejnym krokiem ku upowszechnieniu spintroniki, dziedziny nauki i techniki, która w przyszłości w istotnej części zastąpi elektronikę.

Polsko-niemiecki zespół fizyków zaprezentował nowy typ tranzystora spinowego.

Udział Instytutu Fizyki PAN w 7. Targach Techniki Przemysłowej, Nauki i Innowacji "Technicon Innowacje".
Źródło: IF PAN
 
Eksperymentalna demonstracja, przeprowadzona na Uniwersytecie w Ratyzbonie, była możliwa dzięki unikatowym strukturom półprzewodnikowym, wykonanym w Instytucie Fizyki Polskiej Akademii Nauk (IF PAN) w Warszawie w ramach projektu „Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie” Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka.

Udział Instytutu Fizyki PAN w 7. Targach Techniki Przemysłowej, Nauki i Innowacji "Technicon Innowacje".
Źródło: IF PAN
 
Grant „Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie”, wartości ponad 73 mln złotych, jest finansowany w 85% z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007-2013 (POIG.01.01.02-00-008/08).
Głównymi uczestnikami grantu są Instytut Fizyki PAN (koordynator), Instytut Chemii Fizycznej PAN i Instytut Wysokich Ciśnień PAN.

 
 
Konsorcjum Nanostruktury półprzewodnikowe w biologii i medycynie NANOBIOM
powołane zostało do koordynacji i realizacji wspólnych programów badawczych, wdrożeniowych i rozwojowych w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych oraz nanostruktur kwantowych nowej generacji w celu realizacji programu kluczowego "Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie - Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń diagnostyki molekularnej opartych o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe".

Skan okładki „Science”, 20 July 2012.
 
Osiągnięcie przedstawiono w artykule w najnowszym wydaniu Science, jednego z najbardziej prestiżowych czasopism naukowych świata:
„Spin-Transistor Action via Tunable Landau-Zener Transitions”,
by C. Betthausen; D. Weiss; T. Dollinge; H. Saarikoski; K. Richter at Regensburg University in Regensburg, Germany; V. Kolkovsky; G. Karczewski; T. Wojtowicz at Polish Academy of Sciences in Warsaw, Poland;
Science, 20 July 2012: 324-327.

Udział Instytutu Fizyki PAN w konferencji "European Innovation Summit 2011".
W dniach 10-13 października 2011 roku odbyły się w Brukseli oraz w Warszawie dwie sesje konferencji "European Innovation Summit 2011" zorganizowanej już po raz trzeci przez organizację europejską "Knowledge4Innovation".
Sesja, która odbyła się w Warszawie, stanowiła jedno z czterech najważniejszych wydarzeń polskiej prezydencji w Unii Europejskiej.
Źródło: IF PAN
 
Tranzystory powszechnie stosowane w urządzeniach codziennego użytku działają kontrolując przepływy dużych ilości nośników ładunków elektrycznych.

Miniaturyzacja obwodów funkcjonujących na tej zasadzie jest jednak trudna z uwagi na wydzielające się ciepło.

„Tranzystor spinowy wykorzystuje nie ładunek elektryczny, a inną cechę kwantową elektronu: spin, czyli jego wewnętrzny momentu pędu”, wyjaśnia prof. dr hab. Tomasz Wojtowicz z IF PAN, który kierował polską grupą zaangażowaną w budowę nowego tranzystora.

Udział Instytutu Fizyki PAN w konferencji "European Innovation Summit 2011".
Źródło: IF PAN
 
Ze spinem nierozerwalnie wiąże się pole magnetyczne
.

Ponieważ przypadkowe pola magnetyczne są dużo słabsze niż przypadkowe pola elektryczne, pamięci spintroniczne nie traciłyby informacji po odłączeniu zasilania, a procesory spintroniczne potrafiłyby fizycznie modyfikować własne obwody, dopasowując swoją strukturę logiczną do aktualnych potrzeb.

Z kolei umiejętność operowania spinami pojedynczych elektronów otworzyłaby drogę do budowy komputerów kwantowych – urządzeń, które zgodnie z przewidywaniami teoretyków będą realizować pewne klasy algorytmów w nieprawdopodobnie krótkim czasie.

Pierwszą ideę budowy półprzewodnikowego tranzystora spinowego przedstawiono w 1990 roku.
Pomysł udało się sprawdzić doświadczalnie dopiero trzy lata temu.
Otrzymane sygnały były jednak słabe, co wynikało z faktu, że elektrony wstrzykiwano do półprzewodnika z małą wydajnością, a na dodatek szybko traciły one początkowy kierunek spinu.

Udział Instytutu Fizyki PAN w konferencji "European Innovation Summit 2011".
Źródło: IF PAN
 
W tranzystorze spinowym skonstruowanym przez zespół z Uniwersytetu w Ratyzbonie, kierowany przez prof. Dietera Weissa, i grupę badaczy z Instytutu Fizyki PAN, wykorzystano „twierdzenie adiabatyczne” mechaniki kwantowej.
Twierdzenie to mówi, że orientacja spinu elektronu pozostanie niezmieniona, jeśli zewnętrzne zaburzenie zmienia się powoli, czyli adiabatycznie.

W takich warunkach informacja spinowa jest zabezpieczona przed utratą, a jej nośniki mogą się poruszać w układzie półprzewodnikowym na odległość nawet kilkunastu mikrometrów (milionowych części metra).

Fizycy z Instytutu Fizyki Polskiej Akademii Nauk w Warszawie i Wydziału Fizyki Uniwersytetu w Ratyzbonie zbudowali nowy typ tranzystora spinowego.
W półprzewodnikowej strukturze z tellurku kadmu silnie domieszkowanego manganem, wykonanej w IF PAN, elektrony tworzą dwuwymiarowe morze.
Pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego elektrony w morzu zaczynają się przemieszczać, dopasowując swój spin do kierunku lokalnego pola magnetycznego generowanego przez magnesy z dysprozu.
Pozwala to zabezpieczyć informację spinową przed utratą.
Źródło: IF PAN, ACh
 
Eksperymentalna realizacja idei była możliwa za pomocą przyrządu półprzewodnikowego wykonanego w IF PAN.


Układ studni kwantowych zbudowano z rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych należących do II i VI grupy układu okresowego pierwiastków [struktura (Cd,Mn)Te z tellurku kadmu silnie domieszkowanego manganem].

Rozcieńczone półprzewodniki magnetyczne charakteryzują się nadzwyczajną czułością spinu elektronu na zewnętrzne pole magnetyczne.

Przyrząd z IF PAN skonstruowano w taki sposób, że jego elektrony tworzą dwuwymiarowy gaz.

Za pomocą wysokorozdzielczej litografii elektronowej na Uniwersytecie w Ratyzbonie na strukturę naniesiono periodyczną siatkę miniaturowych magnesów z rzadkiego metalu, dysprozu.

Po namagnesowaniu, wytworzyły one wolno zmieniające się pole magnetyczne o niewielkiej indukcji 50 militesli.

W tak skonstruowanym tranzystorze spinowym elektrony poruszały się od źródła do drenu pod wpływem pola elektrycznego.

Podczas wędrówki kierunek ich spinu dopasowywał się do aktualnego kierunku pola magnetycznego generowanego przez magnesy z dysprozu.
Tranzystor był wtedy w stanie włączonym, czyli jego oporność na drodze źródło-dren była mała.

Po przyłożeniu dodatkowego, zewnętrznego pola o indukcji 50 mT, równoważącego lokalnie pole magnesów z dysprozu, na drodze ruchu elektronów powstawały periodyczne miejsca skompensowanego pola magnetycznego, gdzie elektrony, aby przemieszczać się dalej, musiałyby gwałtownie zmienić kierunek swego spinu.

Wskutek związanych z tym zjawisk fizycznych, część elektronów jest w tej sytuacji odbijana i opór źródło-dren wzrasta – tranzystor przechodzi w stan wyłączony.

Prototyp tranzystora, przedstawiony przez polskich i niemieckich badaczy, działa w temperaturach kriogenicznych.

Fragment animacji ilustrującej zasadę działania tranzystora spinowego zbudowanego przez fizyków z Instytutu Fizyki Polskiej Akademii Nauk w Warszawie i Wydziału Fizyki Uniwersytetu w Ratyzbonie.
Zwykle elektrony z dwuwymiarowego morza w półprzewodniku szybko gubią pierwotny kierunek spinu.
Dzięki wolnozmiennemu (adiabatycznemu), spiralnemu polu magnetycznemu, które pochodzi od nanomagnesów dysprozowych, spin elektronów poruszających się w półprzewodniku pozostaje ściśle określony podczas ruchu, a opór źródło-dren tranzystora jest mały, co pokazuje wskazówka miernika-omomierza.
Przyłożenie zewnętrznego pola magnetycznego o wartości B powoduje powstawanie miejsc skompensowanego pola, gdzie następuje gwałtowna zmiana kierunku spinu, prowadząca do częściowego odbijania wstecznego poruszających się elektronów i w efekcie do wzrostu oporu przyrządu (co widać na omomierzu).
Link do animacji
http://press.ifpan.edu.pl/news/12/07/IFPAN120719c_mov01.mov
Źródło: IF PAN
 
„W tym doświadczeniu byliśmy dostawcami technologii półprzewodnikowych o wyjątkowych parametrach
”, podkreśla prof. Wojtowicz i dodaje, że „ruchliwość elektronów w strukturach (Cd,Mn)Te wytwarzanych w IF PAN jest w tej grupie układów największa na świecie.”

„To efekt siedmiu lat intensywnej pracy nad obecnymi materiałami i niemal 20 lat naszych doświadczeń nad technologiami epitaksji z wiązek molekularnych, które rozwijamy wraz z profesorami Grzegorzem Karczewskim i Jackiem Kossutem w Środowiskowym Laboratorium Fizyki i Wzrostu Kryształów Niskowymiarowych IF PAN”, mówi prof. Wojtowicz.

„Udział naszego Instytutu w skonstruowaniu nowego tranzystora spinowego to kolejny spektakularny rezultat, który był możliwy dzięki znaczącym środkom finansowym z Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka”, podkreśla prof. dr hab. Leszek Sirko, dyrektor Instytutu Fizyki PAN.

Idea adiabatycznego tranzystora spinowego, zaprezentowana dzięki wyjątkowej jakości polskich układów półprzewodnikowych, w przyszłości będzie mogła być zrealizowana także za pomocą materiałów zbudowanych z innych pierwiastków niż kadm i tellur.

Nowe tranzystory i urządzenia mogłyby wtedy działać także w temperaturze pokojowej, co byłby wielkim krokiem na drodze do zastosowań spintroniki.


Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk (IF PAN) z siedzibą w Warszawie powstał w 1953 roku jako ogólnokrajowa instytucja zajmująca się wszystkimi dziedzinami fizyki doświadczalnej i teoretycznej.

 
 
Obecnie Instytut prowadzi badania z fizyki ciała stałego oraz fizyki atomowej i cząsteczkowej, w tym fizyki półprzewodników, promieniowania i magnetyzmu.

Przedmiotem szczególnego zainteresowania są spintronika i nanotechnologie.

IF PAN uczestniczy w ponad 20 międzynarodowych projektach badawczych, publikuje ok. 300 prac naukowych rocznie.


Kontakt do naukowców:

prof. dr hab. Tomasz Wojtowicz
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
aleja Lotników 32/46
02-668 Warszawa
tel. +48 22 8436601, w. 3123, 2551
email: wojto@ifpan.edu.pl  


Źródło: Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

http://www.ifpan.edu.pl/  



ASTROMAN Magazine - 2012.07.05

CERN experiments observe particle consistent with long-sought Higgs boson

http://www.astroman.com.pl/index.php?mod=magazine&a=read&id=1266  


ASTROMAN Magazine - 2012.05.06

Prof. dr hab. Andrzej Udalski jest członkiem zagranicznym Amerykańskiej Akademii Nauk (U.S. National Academy of Sciences)

http://www.astroman.com.pl/index.php?mod=magazine&a=read&id=1235  


ASTROMAN Magazine – 2012.01.24

Profesor dr Jacek M. Żurada Przewodniczącym Komisji Oceny Periodyków IEEE w USA


http://www.astroman.com.pl/index.php?mod=magazine&a=read&id=1156  


ASTROMAN Magazine – 2011.08.06

Najbardziej prestiżowa międzynarodowa akredytacja dla polskiej Akademii Leona Koźmińskiego

http://www.astroman.com.pl/index.php?mod=magazine&a=read&id=1029  


ASTROMAN Magazine - 2010.03.27

Polacy opracowali nowatorski czujnik wykrywający melaminę

http://www.astroman.com.pl/index.php?mod=magazine&a=read&id=686  


ASTROMAN Magazine - 2010.03.06

Wielki Zderzacz Hadronów (LHC) w CERN ponownie w akcji

http://www.astroman.com.pl/index.php?mod=magazine&a=read&id=674  


ASTROMAN Magazine - 2010.02.08

Polscy naukowcy modernizują akceleratory w CERN

http://www.astroman.com.pl/index.php?mod=magazine&a=read&id=660  



ASTROMAN magazine


wydrukuj ten artykuł
  strona: 1 z 1
polecamy artykuły
Prezydent RP Andrzej Duda spotkał się z Prezes YouTube Susan Wojcicki
The World's Largest Optical Communications and Networking Conference OFC 2017 in Los Angeles
Artificial Intelligence at CeBIT 2017: When will machines outstrip the intelligence of humans?
deepsense.io helps improve the UK's satellite defence and security intelligence
Deutsche Telekom at CeBIT 2017: Narrowband radio combats bee mortality
Hearst Selects Oracle Cloud to Fuel Transformation and Business Growth of Its More Than 360 Businesses
Deutsche Telekom celebrates NarrowBand IoT Prototyping Hub successes
Intel to Acquire Mobileye for approximately USD 15.3 Billion
22 państwa świata poza Unią Europejską wśród perspektywicznych rynków dla polskiego eksportu
William D. Cohan: It's time we stop hating Wall Street and start appreciating what it does for the U.S. economy
Ferrari 812 Superfast revealed with 789 horsepower at Geneva Motor Show 2017
Toyota i-TRIL concept at Geneva International Motor Show 2017
Peugeot Instinct concept at Geneva International Motor Show 2017
Jean-Claude Juncker: Przyszłość europejskiego przemysłu
Peugeot 3008 wins the title "Car of the Year 2017"
strona główna  |  oferty pracy  |  executive search  |  ochrona prywatności  |  warunki używania  |  kontakt     RSS feed subskrypcja RSS
Copyright ASTROMAN © 1995-2017. Wszelkie prawa zastrzeżone.
Projekt i wykonanie: TAU CETI.